Simulación numérica del transporte de carga en dispositivos semiconductores microelectrónicos ultrarrápidos

Abstract

La tesis trata de la simulación numérica del modelo cinético semiclásico de los semiconductores, basado en el sistema de ecuaciones Vlasov-Poisson-Boltzmann, usando el método de Partículas Ponderado. En ella, tras una justificación del uso del modelo cinético, basado en la presencia de portadores balísticos en los dispositivos semiconductores objeto del estudio, y de la descripción de este modelo para la geometría desarrolla el Método de Partículas ponderado aplicado al sistema de ecuaciones de Vlasov-Poisson-Boltzmann. También se muestran los algoritmos desarrollados para la implementación del calculo de los operadores de colisión, finalmente, se presentan los resultados numéricos obtenidos con la aplicación de nuestro código para la simulación de diversos tipos de dispositivos.