Good quality Al/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor devices obtained with electron cyclotron resonance plasma method

  1. Garcia, S.
  2. Mártil, I.
  3. Gonzalez Diaz, G.
  4. Castan, E.
  5. Dueñas, S.
  6. Fernandez, M.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1998

Volum: 83

Número: 1

Pàgines: 600-603

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.366647 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible