Electrical properties of high-pressure reactive sputtered thin hafnium oxide high-k gate dielectrics

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Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Datum der Publikation: 2007

Ausgabe: 22

Nummer: 12

Seiten: 1344-1351

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/22/12/019 GOOGLE SCHOLAR