The effect of substrate on high-temperature annealing of GaN epilayers: Si versus sapphire
- Pastor, D.
- Cuscó, R.
- Artús, L.
- González-Díaz, G.
- Iborra, E.
- Jiménez, J.
- Peiró, F.
- Calleja, E.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2006
Ausgabe: 100
Nummer: 4
Art: Artikel