Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia
- María Jesús Martín Martínez Directrice
- Raúl Rengel Estévez Directeur
Université de défendre: Universidad de Salamanca
Fecha de defensa: 11 juin 2010
- Tomás González Sánchez President
- Beatriz García Vasallo Secrétaire
- Antonio García Loureiro Rapporteur
- David Jimenez Jimenez Rapporteur
- Andrés Godoy Medina Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.