Analisis del ruido electronico en materiales y dispositivos semiconductores unipolares mediante el metodo de monte carlo

Resumen

El analisis del ruido electronico en materiales y dispositivos semiconductores es de gran interes, pues proporciona informacion acerca de los fenomenos de transporte que en ellos tienen lugar y permite la optimizacion de los dispositivos. Para su estudio teorico es precisa la utilizacion de un modelo que incorpore de modo natural los procesos fisicos causantes del ruido, y que proporcione el valor instantaneo de la funcion de distribucion de los portadores dependiente del tiempo y del espacio. La unica tecnica de simulacion que cumple estos requisitos es el metodo de monte carlo, que en este trabajo se ha utilizado para analizar el ruido electronico en materiales y dispositivos semiconductores unipolares en el rango de frecuencias de microondas y superiores. Con el objetivo final de llegar al estudio del ruido en dispositivos con aplicaciones reales, como diodos de barrera schottky y mesfets se han analizado previamente diversas estructuras semiconductoras de complejidad creciente que son la base de estos. Asi, se ha comenzado estudiando las fluctuaciones de velocidad en material heterogeneo sin limites, despues se ha investigado las fluctuaciones de corriente y voltaje en estructuras homogeneas finitas y en estructuras n+nn+, para llegar finalmente a los diodos de barrera schottky y al mesfet. En cada caso se han detectado las diversas fuentes de ruido origen de las fluctuaciones, se ha examinado su comportamiento en frecuencia y se han localizado espacialmente en los dispositivos a traves del analisis espacial del ruido en voltaje.