Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores

Resumen

Se ha realizado un estudio teorico de los principales procesos de captura termica en el volumen del si y gaas mediante el metodo de monte carlo. Se ha incorporado la perturbacion culombiana que provocan los centros atractivos a la luz de la teoria de cascada de fonones y se ha adoptado la emision multifonon como la responsable de la transicion al nivel fundamental ligado. Como resultado de la comparacion de la seccion eficaz de captura numerica y la experimental se han obtenido importantes consecuencias respecto a este par de mecanismos de captura y se han calculado valores para algunos de sus parametros caracteristicos. Respecto al trabajo experimental se ha propuesto una nueva tecnica combinada numerico-experimental de medida precisa y simultanea de las secciones eficaces de mayoritarios y la concentracion de centros profundos de uniones p-n, que evita las principales deficiencias de las tecnicas capacitivas tradicionales. Esta tecnica se ha aplicado a uniones reales impurificadas con platino en distintas concentraciones para calcular estos parametros en los dos centros creados por esta impureza.