Estudio de las propiedades eléctricas de un gas bidimensional de huecos en estructuras de SI y SIGE

Abstract

En esta tesis se estudia el confinamiento de los huecos en láminas de inversión de Si y SiGe cuando se aplica un potencial externo al semiconductor haciendo uso del teorema de la masa efectiva. En este sentido, se resuelve autoconsistentemente la ecuación de poisson con el sistema de ecuaciones diferenciales que constituyen la ecuación de Schrodinger en la banda de Valencia de los semiconductores. Tras desarrollar una implementación numérica capaz de resolver el problema, se utiliza ésta para calcular las diversas magnitudes que definen una lámina de inversión, demostrando la inexactitud de aproximaciones más simples. También se analiza el comportamiento del centroide de la distribución, observando su importancia en el correcto modelado del potencial de superficie y cargas del semiconductor. Finalmente se estudian estructuras de Si/SiGe/Si/SiO2 y Si/SiGe/SiO2 calculando la influencia de los distintos parámetros tecnológicos en el confinamiento de los portadores de carga.#