Simulation of electron transport in silicon: Impact-ionization processes

  1. Martin, M.J.
  2. Gonzalez, T.
  3. Velazquez, J.E.
  4. Pardo, D.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Datum der Publikation: 1993

Ausgabe: 8

Nummer: 7

Seiten: 1291-1297

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/8/7/017 GOOGLE SCHOLAR