Effect of the T-gate on the performance of recessed HEMTs. A Monte Carlo analysis

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Hoel, V.
  5. Cappy, A.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 1999

Volum: 14

Número: 9

Pàgines: 864-870

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/14/9/320 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible