Improved monte carlo algorithm for the simulation of doped ahnas/galnas hemt's

  1. Mateos, J.
  2. Gonzalez, T.
  3. Pardo, D.
  4. Hoel, V.
  5. Happy, H.
  6. Cappy, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Ano de publicación: 2000

Volume: 47

Número: 1

Páxinas: 250-253

Tipo: Artigo

GOOGLE SCHOLAR