Monte Carlo analysis of the noise behavior in Si bipolar junction transistors and SiGe heterojunction bipolar transistors at radio frequencies

  1. Martín-Martínez, M.J.
  2. Pérez, S.
  3. Pardo, D.
  4. González, T.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2001

Volum: 90

Número: 3

Pàgines: 1582-1588

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1384850 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible