Monte Carlo simulation of electronic characteristics in short channel δ-doped AlInAs/GaInAs HEMTs

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Hoel, V.
  5. Cappy, A.
Aldizkaria:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Argitalpen urtea: 2001

Alea: 41

Zenbakia: 1

Orrialdeak: 73-77

Mota: Artikulua

DOI: 10.1016/S0026-2714(00)00211-0 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak