3D Monte Carlo analysis of discrete dopant effects on electron noise in Si devices
- Dollfus, P.
- Velázquez, J.E.
- Bournel, A.
- Galdin-Retailleau, S.
ISSN: 1569-8025
Ano de publicación: 2004
Volume: 3
Número: 3-4
Páxinas: 311-315
Tipo: Artigo
ISSN: 1569-8025
Ano de publicación: 2004
Volume: 3
Número: 3-4
Páxinas: 311-315
Tipo: Artigo