Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

  1. Wichmann, N.
  2. Vasallo, B.G.
  3. Bollaert, S.
  4. Roelens, Y.
  5. Wallart, X.
  6. Cappy, A.
  7. González, T.
  8. Pardo, D.
  9. Mateos, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 2009

Volume: 94

Número: 10

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.3095482 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable