Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs

  1. Rengel, R.
  2. Martín, M.J.
  3. Danneville, F.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 32

Nummer: 1

Seiten: 72-74

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/LED.2010.2082488 GOOGLE SCHOLAR

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