Monte Carlo model for the analysis and development of III-V Tunnel-FETs and Impact Ionization-MOSFETs

  1. Talbo, V.
  2. Mateos, J.
  3. González, T.
  4. Lechaux, Y.
  5. Wichmann, N.
  6. Bollaert, S.
  7. Vasallo, B.G.
Actas:
Journal of Physics: Conference Series

ISSN: 1742-6596,  1742-6588

Ano de publicación: 2015

Volume: 647

Número: 1

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1088/1742-6596/647/1/012056 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable