Anomalous DC and RF behavior of virgin AlGaN/AlN/GaN HEMTs

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2017

Volumen: 32

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6641/AA5473 GOOGLE SCHOLAR