High magnetic field studies of 1/f noise in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors

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Revista:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

ISSN: 1862-6300 1862-6319

Ano de publicación: 2005

Volume: 202

Número: 4

Páxinas: 677-679

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1002/PSSA.200460472 GOOGLE SCHOLAR