Ion beam induced recrystallization of amorphous silicon: A molecular dynamics study

  1. Marqués, L.A.
  2. Caturla, M.-J.
  3. Díaz De La Rubia, T.
  4. Gilmer, G.H.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 1996

Volume: 80

Número: 11

Páxinas: 6160-6169

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.363690 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable