Contribucion al estudio de las propiedades de transporte en el asgagr

  1. JIMENEZ LOPEZ, JUAN
unter der Leitung von:
  1. José Antonio de Saja Sáez Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad de Valladolid

Jahr der Verteidigung: 1980

Gericht:
  1. Vicente Aleixandre Campos Präsident/in
  2. Luis A. Bailón Vega Sekretär/in
  3. Pedro Cartujo Estebanez Vocal
  4. Juan Ayala Montoro Vocal
  5. José Antonio de Saja Sáez Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 4349 DIALNET

Zusammenfassung

Semiconductores en regimen de tiempo de vida media y de relajacion. Compensacion en el asga: conductividad activada termicamente; caracteristicas corriente-tension (i-v). Estudio de las trampas y de sus mecanismos de captura por el metodo de las corrientes estimuladas termicamente (tsc): estudio de la influencia de los contactos en los espectros de tsc mediante una nueva tecnica (ccvd-tsc). Caracterizacion de las trampas del asga:cr y calculo de sus parametros. Discusion en base al problema de los semiconductores en regimen de relajacion.