Dopant level freeze-out and nonideal effects in 6H-SiC epilayer junctions

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1996

Volumen: 79

Número: 1

Páginas: 310-315

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.360831 GOOGLE SCHOLAR