Detailed electrical characterization of DX centers in Se-doped AlxGa1-xAs

  1. Dueñas, S.
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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1997

Volumen: 82

Número: 9

Páginas: 4338-4345

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.366242 GOOGLE SCHOLAR