Binding energy of vacancy clusters generated by high-energy ion implantation and annealing of silicon

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  5. Rafferty, C.S.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 79

Nummer: 9

Seiten: 1273-1275

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1385192 GOOGLE SCHOLAR

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