Atomistic modeling of the effects of dose and implant temperature on dopant diffusion and amorphization in Si

  1. Pelaz, L.
  2. Marques, L.A.
  3. Gilmer, G.H.
  4. Jaraiz, M.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

ISSN: 0168-583X

Any de publicació: 2001

Volum: 180

Número: 1-4

Pàgines: 12-16

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00390-1 GOOGLE SCHOLAR