Correlation between internal electric fields, residual strain and optical transitions in GaN/AlN stacked quantum dots

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Actas:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Ano de publicación: 2002

Páxinas: 346-350

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200390059 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor

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