The electrical-interface quality of as-grown atomic-layer-deposited disordered HfO2 on p- and n-type silicon
- Dueñas, S.
- Castán, H.
- García, H.
- Barbolla, J.
- Kukli, K.
- Aarik, J.
- Aidla, A.
ISSN: 0268-1242
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 19
Nummer: 9
Seiten: 1141-1148
Art: Artikel