Boron pocket and channel deactivation in nMOS transistors with SPER junctions

  1. Duffy, R.
  2. Aboy, M.
  3. Venezia, V.C.
  4. Pelaz, L.
  5. Severi, S.
  6. Pawlak, B.J.
  7. Eyben, P.
  8. Janssens, T.
  9. Vandervorst, W.
  10. Loo, J.
  11. Roozeboom, F.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2006

Ausgabe: 53

Nummer: 1

Seiten: 71-76

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2005.860651 GOOGLE SCHOLAR