Epitaxial growth of (0001) oriented porous GaN layers by chemical vapour deposition

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Revista:
CrystEngComm

ISSN: 1466-8033

Año de publicación: 2014

Volumen: 16

Número: 44

Páginas: 10255-10261

Tipo: Artículo

DOI: 10.1039/C4CE01339E GOOGLE SCHOLAR