Caracterización del centro EL2 del GaAs por espectroscopia óptica de la admitancia
- S. Dueñas 1
- E. Rubio 1
- B. Rojo 1
- J. Vicente 1
- L. Bailón 1
- J. Barbolla 1
- A. Pérez 2
-
1
Universidad de Valladolid
info
-
2
Universitat de Barcelona
info
Verlag: Real Sociedad Española de Física
Datum der Publikation: 1987
Seiten: 41-42
Kongress: Real Sociedad Española de Física. Reunión Bienal (21. 1987. Salamanca)
Art: Konferenz-Beitrag