Single and complex devices on three topological configurations of HfO2 based RRAM

  1. Ossorio, O.G.
  2. Poblador, S.
  3. Vinuesa, G.
  4. Duenas, S.
  5. Castan, H.
  6. Maestro-Izquierdo, M.
  7. Bargallo, M.G.
  8. Campabadal, F.
Actas:
LAEDC 2020 - Latin American Electron Devices Conference

ISBN: 9781728110448

Año de publicación: 2020

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/LAEDC49063.2020.9073596 GOOGLE SCHOLAR