Optimization of the Epilayer Design for the Fabrication of Doped GaN Planar Gunn Diodes

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Año de publicación: 2022

Volumen: 69

Número: 2

Páginas: 514-520

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2021.3134927 GOOGLE SCHOLAR