Efectos del sputtering en los perfiles de concentración obtenidos por AES y ESCA en películas anódicas

  1. Sanz, José María
Zuzendaria:
  1. José Manuel Martínez Duart Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 1982(e)ko uztaila-(a)k 09

Epaimahaia:
  1. Fernando Agulló López Presidentea
  2. José Manuel Martínez Duart Idazkaria
  3. José Luis Sánchez Gómez Kidea
  4. Fernando Rueda Sánchez Kidea
  5. Fernando Flores Sintas Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 7577 DIALNET lock_openBiblos-e Archivo editor

Laburpena

Mediante bombardeo con iones de argon y metodos superficiales de analisis como aes y xps se obtuvieron perfiles de concentracion de nb2o5 ta2o5 t1o2 zro2 hfo2 al2o3 obtenidos anodicamente. En el caso nb2o5/nb y ta2o5/ta se obtuvieron resultados cuantitativos sobre la formacion composicion y espesor de la capa superficial dañada por el bombardeo con iones en funcion de la energia cinetica de estos. Excepto en el caso de al2o3 el resto de los oxidos sufren un proceso de reduccion a causa del sputtering preferencial de los atomos de oxigeno.