100nm InAlAs/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate

  1. Wichmann, N
  2. Duszynski, I
  3. Bollaert, S
  4. Mateos, J
  5. Wallart, X
  6. Cappy, A
Libro:
IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2004, TECHNICAL DIGEST

ISBN: 0-7803-8684-1

Año de publicación: 2004

Páginas: 1023-1026

Congreso: 50th IEEE International Electron Devices Meeting

Tipo: Aportación congreso

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Fuente de los datos: WoS