Analysis of the low temperature behavior of GaN-on-SiC Schottky barrier diodes

  1. Orfao, B.
  2. Di Gioia, G.
  3. Vasallo, B.G.
  4. Pérez, S.
  5. Zaknoune, M.
  6. Cordier, Y.
  7. Roelens, Y.
  8. Mateos, J.
  9. González, T.
Actes:
32nd International Symposium of Space Terahertz Technology, ISSTT 2022

Any de publicació: 2022

32nd International Symposium of Space Terahertz Technology, ISSTT 2022

Tipus: Aportació congrés

GOOGLE SCHOLAR