Reverse Leakage Current Hysteresis in GaN Schottky Barrier Diodes Interpreted in Terms of a Trap Energy Band

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646 0018-9383

Año de publicación: 2024

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2024.3409202 GOOGLE SCHOLAR