STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET

  1. Stoliar, P.
  2. Schulman, A.
  3. Kitoh, A.
  4. Sawa, A.
  5. Inoue, I.H.
Actas:
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM

ISSN: 0163-1918

ISBN: 9781538635599

Año de publicación: 2018

2017 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017

Páginas: 36.4.1-36.4.4

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/IEDM.2017.8268506 GOOGLE SCHOLAR