NANODISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE ALTA FRECUENCIA
Aalto University
Helsinki, FinlandiaPublicacions en col·laboració amb investigadors/es de Aalto University (1)
2017
-
Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: Radio-frequency stability as a limiting factor
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 48