Raúl
Rengel Estévez
Tesis doctoral
Tesis dirigidas (2)
Tribunales de tesis (6)
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Presidente del tribunal
Compact dc modeling of tunnel-fets 2019Universitat Rovira i Virgili
HORST , FABIAN
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Presidente del tribunal
Experimental and simulation study of defects impact on the variability of mos structures 2018Universitat Autònoma de Barcelona
Couso Fontanillo, Carlos
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Vocal del tribunal
Modelling of field-effect transistors based on 2D materials targeting high-frequency applications / 2017Universitat Autònoma de Barcelona
Pasadas Cantos, Francisco
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Vocal del tribunal
Aplicacion de la tecnica del pseudo-transistor sobre obleas de silicio-sobre-aislante 2016Universidad de Granada
Fernández Sánchez, Cristina
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Vocal del tribunal
Study and simulation of advanced si-based nanodevices: schottky-barrier mosfets and tunnel fets 2012Universidad de Granada
Padilla de la Torre, José Luis
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Vocal del tribunal
Paralelización y optimización de un Simulador 2D Monte Carlo sobre arquitectura Grid y cluster: estudio de fluctuaciones en transistores MOSFET basados en SOI 2011Universidade de Santiago de Compostela
Valín Ferreiro, Raúl