Electrical properties of high-pressure reactive sputtered thin hafnium oxide high-k gate dielectrics

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Año de publicación: 2007

Volumen: 22

Número: 12

Páginas: 1344-1351

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/22/12/019 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible