Noise and transit time in ungated FET structures

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Tadyszak, P.
  5. Danneville, F.
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Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 44

Nummer: 12

Seiten: 2128-2135

Art: Artikel

DOI: 10.1109/16.644625 GOOGLE SCHOLAR