Noise and transit time in ungated FET structures

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Tadyszak, P.
  5. Danneville, F.
  6. Cappy, A.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 1997

Alea: 44

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 2128-2135

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/16.644625 GOOGLE SCHOLAR