Monte Carlo simulation of electronic characteristics in short channel δ-doped AlInAs/GaInAs HEMTs

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Hoel, V.
  5. Cappy, A.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Año de publicación: 2001

Volumen: 41

Número: 1

Páginas: 73-77

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0026-2714(00)00211-0 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible