Voltage tuneable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAsInAlAs transistor

  1. Lusakowski, J.
  2. Knap, W.
  3. Dyakonova, N.
  4. Varani, L.
  5. Mateos, J.
  6. Gonzalez, T.
  7. Roelens, Y.
  8. Bollaert, S.
  9. Cappy, A.
  10. Karpierz, K.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2005

Volum: 97

Número: 6

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1861140 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible