Sensitivity of single-and double-gate MOS architectures to residual discrete dopant distribution in the channel

  1. Dollfus, P.
  2. Bournel, A.
  3. Velázquez, J.E.
Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1572-8137,  1569-8025

Datum der Publikation: 2006

Ausgabe: 5

Nummer: 2-3

Seiten: 119-123

Art: Artikel

DOI: 10.1007/S10825-006-8830-5 GOOGLE SCHOLAR