Dynamic Monte Carlo study of isolated-gate InAs/AlSb HEMTs

  1. Rodilla, H.
  2. González, T.
  3. Moschetti, G.
  4. Grahn, J.
  5. Mateos, J.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 26

Nummer: 2

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/26/2/025004 GOOGLE SCHOLAR