Monte carlo analysis of impact ionization in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors

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  7. Mateos, J.
Revista:
Acta Physica Polonica A

ISSN: 1898-794X,  0587-4246

Año de publicación: 2011

Volumen: 119

Número: 2

Páginas: 222-224

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.12693/APHYSPOLA.119.222 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor

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