Monte carlo study of dopant-segregated schottky barrier SoI MOSFETs: Enhancement of the rf performance

  1. Martin-Martinez, M.J.
  2. Couso, C.
  3. Pascual, E.
  4. Rengel, R.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 61

Nummer: 12

Seiten: 3955-3961

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2014.2360468 GOOGLE SCHOLAR