An ionised-impurity scattering model for 3D Monte Carlo device simulation with discrete impurity distribution

  1. Barraud, S.
  2. Dollfus, P.
  3. Galdin, S.
  4. Rengel, R.
  5. Martín, M.J.
  6. Velázquez, J.E.
Revista:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Any de publicació: 2001

Volum: 13

Número: 1-4

Pàgines: 399-404

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1155/2001/96951 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor