1/f Noise in GaN/AlGaN heterostructure field-effect transistors in high magnetic fields at 300 K

  1. Rumyantsev, S.L.
  2. Shur, M.S.
  3. Dyakonova, N.
  4. Knap, W.
  5. Meziani, Y.
  6. Pascal, F.
  7. Hoffman, A.
  8. Hu, X.
  9. Fareed, Q.
  10. Bilenko, Y.
  11. Gaska, R.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2004

Volum: 96

Número: 7

Pàgines: 3845-3847

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1787911 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible